MOCVD裝置の洗浄技術 -エレクトロニクス分野
MOCVD裝置の反応爐部品用ドライ洗浄裝置（登録特許第5021907號）
本特許は、窒化物半導體製造裝置を構成する石英ガラス製部品のドライ洗浄技術に関する発明です。
窒化物半導體製造裝置は、基板に、窒化ガリウム（GaN）や窒化ガリウムアルミニウム（AlGaN）等の膜を製造する裝置です。この裝置を構成するウエハトレーやガス流路などの部品には、膜の製造工程において窒化物が付著し、これが不要な汚染源となり、窒化物半導體を製造するうえで障害となることから、汚れた部品を洗浄して汚染物を除去する必要があります。
當社のCLEANDEX®は、500～1000°C以下の溫度で、窒素ガスで希釈された低濃度の塩素ガスを用いて洗浄することを特徴としています。
特長
- 低濃度の塩素ガスで洗浄できるので、石英ガラス製の部品の腐食を抑えることができます。
- 1000°C以下の溫度で洗浄するので、ウエハトレーなどの部品の変形を抑えることができます。
- 短時間で洗浄することができます。
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