MOCVD -エレクトロニクス分野
中央部に凹部を設け、斷熱部や冷卻手段を裝備（登録特許第4542860號）
MOCVD裝置は反応爐にトリメチルガリウム(TMG)やアンモニアなどの原料ガスを送り込み、反応爐內に設置された基板の上に所定の半導體膜を成長させていくものです。
本特許裝置は、3層構造の中央ノズルから外周方向に原料ガスを供給し、外周より排気される反応爐で、サセプタの公転に伴い各々の基板が自転する自公転方式の裝置です。
2インチ基板10枚あるいは3インチ基板8枚が一度の成長で処理できます。
特長
- 図のとおり、サセプタの中央部に凹部を設け、さらに斷熱部や冷卻手段を設けたことが本特許の特徴です。
- これにより、1000℃以上の高溫に加熱された基板からの熱輻射や対流伝熱によるガス導入部の先端溫度の上昇を抑えることができます。
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